| 286401 | BF-U416RD | Super-roșu, anod / catod, display cu LED-uri de preaplin singură cifră | Yellow Stone Corp |
| 286402 | BF-U811 | AFIȘEURI LED-uri CU CIFRĂ UNICĂ | Yellow Stone Corp |
| 286403 | BF-U811RD | AFIȘEURI LED-uri CU CIFRĂ UNICĂ | Yellow Stone Corp |
| 286404 | BF-U812RD | AFIȘEURI LED-uri CU CIFRĂ UNICĂ | Yellow Stone Corp |
| 286405 | BF-U812RD | AFIȘEURI LED-uri CU CIFRĂ UNICĂ | Yellow Stone Corp |
| 286406 | BF-U813RD | AFIȘEURI LED-uri CU CIFRĂ UNICĂ | Yellow Stone Corp |
| 286407 | BF-U814RD | AFIȘEURI LED-uri CU CIFRĂ UNICĂ | Yellow Stone Corp |
| 286408 | BF-U815RD | AFIȘEURI LED-uri CU CIFRĂ UNICĂ | Yellow Stone Corp |
| 286409 | BF-U815RE | AFIȘEURI LED-uri CU CIFRĂ UNICĂ | Yellow Stone Corp |
| 286410 | BF-U816RD | AFIȘEURI LED-uri CU CIFRĂ UNICĂ | Yellow Stone Corp |
| 286411 | BF-U81DRD | AFIȘEURI LED-uri CU CIFRĂ UNICĂ | Yellow Stone Corp |
| 286412 | BF1005 | RF-MOSFET - rețea integrată de polarizare completă, VDS = 5V, gfs = 24mS, Gp = 19dB, F = 1,4dB | Infineon |
| 286413 | BF1005 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V Rețea de polarizare stabilizată integrată) | Siemens |
| 286414 | BF1005R | RF-MOSFET - rețea integrată de polarizare completă, VDS = 5V, gfs = 24mS, Gps = 19dB, F = 1,4dB | Infineon |
| 286415 | BF1005S | RF-MOSFET - rețea integrată de polarizare completă, VDS = 5V, gfs = 30mS, Gp = 20dB, F = 1,4dB | Infineon |
| 286416 | BF1005S | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V Rețea de polarizare stabilizată integrată) | Siemens |
| 286417 | BF1005SR | RF-MOSFET - rețea integrată de polarizare completă, VDS = 5V, gfs = 24mS, Gp = 19dB, F = 1,4dB | Infineon |
| 286418 | BF1005SW | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode | Infineon |
| 286419 | BF1005W | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode | Infineon |
| 286420 | BF1009 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode pentru ... | Infineon |
| 286421 | BF1009 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat de până la 1 GHz Tensiune de funcționare 9 V Rețea de polarizare stabilizată integrată | Siemens |
| 286422 | BF1009S | RF-MOSFET - rețea integrată de polarizare completă, VDS = 9V, gfs = 30mS, Gps = 22dB, F = 1,4dB; Fișă tehnică la cerere | Infineon |
| 286423 | BF1009S | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode pentru ... | Infineon |
| 286424 | BF1009S | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat până la 1 GHz Tensiune de funcționare 9V Rețea de polarizare integrată) | Siemens |
| 286425 | BF1009SR | RF-MOSFET - rețea integrată de polarizare completă, VDS = 9V, gfs = 30mS, Gps = 22dB, F = 1,4dB; Fișă tehnică la cerere | Infineon |
| 286426 | BF1012 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (Pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat până la 1 GHz Tensiune de funcționare 12V Rețea de polarizare stabilizată integrată | Siemens |
| 286427 | BF1012S | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode | Infineon |
| 286428 | BF1012S | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V Rețea de polarizare stabilizată integrată) | Siemens |
| 286429 | BF1012W | SILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE (Pentru trepte de intrare cu zgomot redus, controlate de câștig până la 1 GHz) | Siemens |
| 286430 | BF1100 | N-channel dual-gate MOSFET | NXP Semiconductors |
| 286431 | BF1100 | MOS-FET dual-gate | Philips |
| 286432 | BF1100R | MOS-FET dual-gate | Philips |
| 286433 | BF1100WR | N-channel dual-gate MOSFET | NXP Semiconductors |
| 286434 | BF1100WR | MOS-FET cu două porți | Philips |
| 286435 | BF1101 | MOS-FET-uri dual-gate cu canal N | Philips |
| 286436 | BF1101R | MOS-FET-uri dual-gate cu canal N | Philips |
| 286437 | BF1101WR | N-channel dual-gate MOSFET | NXP Semiconductors |
| 286438 | BF1101WR | MOS-FET-uri dual-gate cu canal N | Philips |
| 286439 | BF1102 | N-channel dual-gate MOSFET | NXP Semiconductors |
| 286440 | BF1102 | MOS-FET-uri cu poartă dublă cu canal N | Philips |
