| 1176601 | MTB10N60E7 | TMOS 7 E-FET ™ FET de mare energie | ON Semiconductor |
| 1176602 | MTB10N60E7-D | TMOS 7 E-FET Putere înaltă energie FET Poarta din silicon în modul îmbunătățire a canalului N | ON Semiconductor |
| 1176603 | MTB10N60E7T4 | TMOS 7 E-FET ™ FET de mare energie | ON Semiconductor |
| 1176604 | MTB1306 | TMOS POWER FET 75 AMPERI | Motorola |
| 1176605 | MTB1306 | INVECHITE - MOSFET de putere 75 Amperi, 30 de volti, Logic Level | ON Semiconductor |
| 1176606 | MTB1306-D | MOSFET de putere 75 Amperi, 30 Volți, Nivel Logic Canal N D2PAK | ON Semiconductor |
| 1176607 | MTB15N06E | TMOS POWER FET 15 AMPERI | Motorola |
| 1176608 | MTB15N06V | TMOS POWER FET 15 AMPERI | Motorola |
| 1176609 | MTB15N06V | 15 A D2PAK N-Channel MOSFET, Vdss 60 | ON Semiconductor |
| 1176610 | MTB15N06V-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS V D2PAK pentru poartă din silicon cu montare pe suprafață în N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate | ON Semiconductor |
| 1176611 | MTB16N25E | TMOS POWER FET 16 AMPERI | Motorola |
| 1176612 | MTB16N25E | 16 Amp D2PAK Surface Mount Products, N-Channel, Vdss 250 | ON Semiconductor |
| 1176613 | MTB16N25E-D | FET D2PAK de înaltă energie TMOS E-FET pentru montare pe suprafață | ON Semiconductor |
| 1176614 | MTB1N100E | TMOS POWER FET 1,0 AMPERI 1000 VOLȚI | Motorola |
| 1176615 | MTB20N20E | TMOS POWER FET 20 AMPERI 200 VOLȚI | Motorola |
| 1176616 | MTB20N20E | INVECHITE - MOSFET de putere 20 amperi, 200 de volti | ON Semiconductor |
| 1176617 | MTB20N20E-D | MOSFET de putere 20 amperi, 200 volți canal N D2PAK | ON Semiconductor |
| 1176618 | MTB23P06 | TMOS POWER FET 23 AMPERI 60 VOLȚI | Motorola |
| 1176619 | MTB23P06E | TMOS POWER FET 23 AMPERI 60 VOLȚI | Motorola |
| 1176620 | MTB23P06V | TMOS POWER FET 23 AMPERI 60 VOLȚI | Motorola |
| 1176621 | MTB23P06V | Putere MOSFET 23 Amperi, 60 Volți | ON Semiconductor |
| 1176622 | MTB23P06V-D | Putere MOSFET 23 Amperi, 60 volți P-Channel D2PAK | ON Semiconductor |
| 1176623 | MTB23P06VT4 | Putere MOSFET 23 Amperi, 60 Volți | ON Semiconductor |
| 1176624 | MTB24 | Pachet de schiță mică, subțire, termoizolant, turnat cu 24 de plumb | National Semiconductor |
| 1176625 | MTB29N15E | TMOS POWER FET 29 AMPERI 150 VOLȚI | Motorola |
| 1176626 | MTB29N15E | MOSFET de putere 29 Amperi, 150 Volți | ON Semiconductor |
| 1176627 | MTB29N15E-D | MOSFET de putere 29 amperi, 150 volți canal N D2PAK | ON Semiconductor |
| 1176628 | MTB29N15ET4 | MOSFET de putere 29 Amperi, 150 Volți | ON Semiconductor |
| 1176629 | MTB2N40E | TMOS POWER FET 2.0 AMPERI 400 VOLȚI | Motorola |
| 1176630 | MTB2N40E-D | TMOS E-FET FET D2PAK de înaltă energie pentru montare pe suprafață Poartă din silicon cu îmbunătățire a canalului N | ON Semiconductor |
| 1176631 | MTB2N60E | TMOS POWER FET 2.0 AMPERI 600 VOLȚI | Motorola |
| 1176632 | MTB2N60E | N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate | ON Semiconductor |
| 1176633 | MTB2N60E-D | TMOS E-FET FET D2PAK de înaltă energie pentru montare pe suprafață Poartă din silicon cu îmbunătățire a canalului N | ON Semiconductor |
| 1176634 | MTB2P50E | TMOS POWER FET 2.0 AMPERI 500 VOLȚI | Motorola |
| 1176635 | MTB2P50E | TMOS Power FET 500V 6.00Ohm | ON Semiconductor |
| 1176636 | MTB2P50E-D | TMOS E-FET FET D2PAK de înaltă energie pentru montare pe suprafață Poartă din silicon în modul P de îmbunătățire a canalului P | ON Semiconductor |
| 1176637 | MTB2P50ET4 | TMOS Power FET 500V 6.00Ohm | ON Semiconductor |
| 1176638 | MTB30N06VL | TMOS POWER FET 30 AMPERI 60 VOLȚI | Motorola |
| 1176639 | MTB30N06VL | MOSFET de putere 30 Amperi, 60 de volti, Logic Level | ON Semiconductor |
| 1176640 | MTB30N06VL-D | MOSFET de putere 30 Amperi, 60 Volți, Nivel Logic Canal N D2PAK | ON Semiconductor |
